HAFN.

Węglik hafnu HfC posiada bardzo wysoką temperaturę topnienia, powyżej 3890 °C, a stop węgliku hafnu i węgliku tantalu (Ta4HfC5), posiada jedną z najwyższych znanych temperaturę topnienia 4215 °C


NIOB.

Niob reaguje z kwasem fluorowodorowym z utworzeniem fluorkowego kompleksu:

2 Nb + 12 HF --> 2 NbF6- + 2 H+ + 5 H2

W środowisku niekompleksującym jony niobu nie istnieją - strąca się wodorotlenek Nb(OH)5. Niob tworzy tlenek Nb2O5, który reaguje z roztopionymi alkaliami, tworząc niobany, rozpuszczalne w wodzie tylko przy wysokim pH. Jony niobu (kompleksy) na V stopniu utlenienia są bezbarwne, na IV i III stopniu utlenienia posiadają już zabarwienie.

TANTAL.

Tantal reaguje z kwasem fluorowodorowym z utworzeniem fluorkowego kompleksu:

2 Ta + 12 HF --> 2 TaF6- + 2 H+ + 5 H2

Wolne (nieskompleksowane) kationy tantalowe (tzn. Ta5+ itp.) nie istnieją w roztworze (powstaje nierozpuszczalny wodorotlenek Ta(OH)5). Pięciotlenek tantalu, Ta2O5, stopiony z wodorotlenkami metali alkalicznych (np. NaOH) tworzy tantalany(V), rozpuszczalne w środowisku o bardzo wysokim pH.

GAL.

Gal powoli roztwarza się w mocnych kwasach i zasadach.
Fluorki, arsenki i fosforany galu posiadają własności półprzewodnikowe i domieszkuje się nimi krzem stosowany w przemyśle elektronicznym. Warstwy z arsenku galu stosuje się w ultraszybkich procesorach.

IND.

W przyrodzie występuje w minerałach: rokezyt (CuInS2), indyt (FeIn2S4) i gallindyt (In(OH)3).

TAL.

Tal reaguje z rozcieńczonymi mocnymi kwasami nieorganicznymi (z wyjątkiem kwasu solnego), wypierając z nich wodór. W kontakcie z kwasem chlorowodorowym pokrywa się pasywną warstwą nierozpuszczalnego chlorku TlCl. Potencjał standardowy Tl+/Tl wynosi -0.34. Tal występuje w związkach na I i III stopniu utlenienia. Kationy Tl+ są bezbarwne, wodorotlenek talu (I) (TlOH) jest rozpuszczalną, mocną zasadą. Jony Tl3+ istnieją w roztworze tylko przy pH bliskim 0, w wyższym wytrąca się Tl(OH)3, który nie ma właściwości amfoterycznych.